1N4933 ... 1N4937
1N4933 ... 1N4937
Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-21
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...600 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~DO-41
~DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N4933 50 50
1N4934 100 100
1N4935 200 200
1N4936 400 400
1N4937 600 600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 1 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 30/33 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.77
±0.07
Ø 2.6
0.1±
62.5
+0.5
5.1
-0.1
-4.5
1N4933 ... 1N4937
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF< 1.2 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr < 200 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 15 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.2v)
