18.03.1998
Marketing Information
FS 400 R 12 KF4
+++
Cu
Gu
Eu
Cx
Gx
Ex
Cv
Gv
Ev
Cy
Gy
Ey
Cw
Gw
Ew
Cz
Gz
Ez
U
V
W
--
-
external connection
to be done
external connection
to be done
26,4
5,5
2,8x0,5
5
3x5=15
3,35
CXCUCYCV
UVW
GX EX EU GUGY EY EV GVGZ EZ EW GW
4 deep
CZCW
M6
61,5
13
57
190 171
7
61,5
31,5
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
http://store.iiic.cc/
FS 400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
I
C
400
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
t
p
= 1 ms
I
CRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C, Transistor / Transistor
P
tot
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GE
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
400
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
p
= 1ms
I
FRM
800
A
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
i
C
= 400 A, v
GE
= 15 V, T
vj
= 25°C
v
CE sat
-
2,7
3,2
V
i
C
= 400 A, v
GE
= 15 V, T
vj
= 125°C
-
3,4
4
V
Gate-Emitter Schwellenspannung
gate-emitter threshold voltage
i
C
= 16 mA, v
CE
= v
GE
, T
vj
= 25°C
v
GE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazität
input capacity
f
O
= 1 MHz, T
vj
= 25°C, v
CE
= 25 V, v
GE
=
C
ies
-
27
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
v
CE
= 1200 V, v
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
i
CES
-
8
-
mA
v
CE
= 1200 V, v
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
40
-
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
v
CE
= 0 V, v
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
i
GES
-
-
400
nA
Emitter-Gate Reststrom
gate leakage current
v
CE
= 0 V, v
EG
= 20 V, T
vj
= 25°C
i
EGS
-
-
400
nA
Einschaltzeit (induktive Last)
turn-on time (inductive load)
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V
t
on
v
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 25°C
-
0,7
-
µs
v
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 125°C
-
0,8
-
µs
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V
t
s
v
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 25°C
-
0,9
-
µs
v
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 125°C
-
1
-
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V
t
f
v
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 25°C
-
0,1
-
µs
v
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 125°C
-
-
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V, L
S
= 70 nH
E
on
V
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 125°C
-
100
-
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
i
C
= 400 A, v
CE
= 600 V, L
S
= 70 nH
E
off
V
L
= ±15 V, R
G
= 2,4
Ω
, T
vj
= 125°C
-
55
-
mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
i
F
= 400 A, v
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
v
F
-
2,2
2,7
V
i
F
= 400 A, v
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
2,0
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
i
F
= 400 A, -di
F
/dt = 2 kA/µs
I
RM
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 25°C
-
125
-
A
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 125°C
-
200
-
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
i
F
= 400 A, -di
F
/dt = 2 kA/µs
Q
r
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 25°C
-
13
-
µAs
v
RM
= 600 V, v
EG
= 10 V, T
vj
= 125°C
-
45
-
µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
R
thJC
0,008
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode, DC, pro Modul / per module
0,014
Diode, DC, pro Zweig / per arm
0,084
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
R
thCK
typ. 0,006
pro Zweig / per arm
typ. 0,036
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
AI
2
O
3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6 / tolerance ±15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M6
M2
5...6
Nm
Gewicht
weight
G
ca. 2300
g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10 µs
V
CC
= 750 V
v
L
= ±15 V
v
CEM
= 900 V
R
GF
= R
GR
= 2,4
Ω
i
CMK1
≈
2500 A
Tvj = 125°C
i
CMK2
≈
2200 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
CEM
= V
CES
- 15nH x |di
c
/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
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FS 400 R 12 KF4
FS 400 R 12 KF4 / 1
Hier Diagramm Untertitel eingeben...
FS 400 R 12 KF4 / 5FS 400 R 12 KF4 / 6
FS 400 R 12 KF4 / 3
FS 400 R 12 KF4 / 2
1234512345
iC
[A]
iC
[A]
iC
[A]
iC
[A]
vCE [V]
vCE [V]
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
05 6 7 8 9 10 11 12
vCE [V]
vGE [V]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
100
10-1
10-2
10-3
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10-310-210-1100101
2 3 4 6 2 3 4 6 2 3 4 6 2 3 4 6
ZthJC
[°C/W]
t [s]t [s]
0,511,522,5 3
iF
[A]
vF [V]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125°C
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
Tvj = 125°C
vLF = vLR = 15 V
RG = 2,4 Ω
Bild / Fig. 5
Transienter Wärmewiderstand je Zweig (DC) /
Transient thermal impedance per arm (DC)
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
20 V
10 V
9 V
8 V
VGE =
tvj =
Diode
IGBT
25°C125°C
12 V
15 V
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