─ 401 ─
IGBT 300A1200V PHMB300BS12
■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINEDRAWING （単位 Dimension：mm）
■電気的特性 ElectricalCharacteristics（TC＝25℃）
項   目
Characteristic 条   件
TestConditions 最小
Min. 最大
Max.
コレクタ遮断電流
Collector-EmitterCut-OffCurrent VCE＝1200V,VGE＝0V ─ 3.00
ゲート漏れ電流
Gate-EmitterLeakageCurrent VGE＝±20V,VCE＝0V ─ 1.00
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-EmitterSaturationVoltage VCE（sat） IC＝300A,VGE＝15V ─ 2.70
VGE（th） VCE＝5V,IC＝300mA 4.0
入力容量
InputCapacitance Cies VCE＝10V,VGE＝0V,f＝1MHz ─ ─
tr
VCC＝600V
RL＝2.0Ω
RG＝5.1Ω
VGE＝±15V
─
─ 0.70
─ 0.35
─ 1.10
記号
Symbol 標準
Typ. 単位
Unit
ICES ─mA
IGES ─μA
2.30V
ゲートしきい値電圧
Gate-EmitterThresholdVoltage ─8.00V
18900 pF
スイッチング時間
SwitchingTime
上昇時間
RiseTime 0.25 0.45
μs
ターン・オン時間
Turn-OnTime ton 0.40
下降時間
FallTime tf0.25
ターン・オフ時間
Turn-OffTime toff 0.80
■最大定格 MaximumRatings（TC＝25℃）
項   目
Item 記号
Symbol 定 格 値
RatedValue 単位
Unit
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-EmitterVoltage VCES 1200 V
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-EmitterVoltage VGES ±20 V
コレクタ電流
Collector
Current
DC IC300 A
1ms ICP 600
コレクタ損失
CollectorPowerDissipation PC1800 W
Tj−40〜＋150
保存温度
StorageTemperatureRange Tstg −40〜＋125 ℃
絶縁耐圧（端子−ベース間，AC１分間）
IsolationVoltage（TerminaltoBase,AC１min.）
Viso 2500 V（RMS）
締付トルク
MountingTorque Ftor
3（30.6）
N・m
（kgf・cm）
M4
M6
接合温度
JunctionTemperatureRange ℃
ベース取付部
ModuleBasetoHeatsink
端子部
BusbartoTerminal
1.4（14.3）
3（30.6）
http://store.iiic.cc/
─ 402 ─
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 500 1000 1500 2000 2500
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
=600V
400V
200V
R
L
=2.0(
T
C
=25°C
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
300000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Capacitance C (pF)
Cies
Coes
Cres
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
■フリーホイーリングダイオードの特性 FreeWheelingDiodeRatings&Characteristics（TC＝25℃）
■熱的特性 ThermalCharacteristics
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
012345
0
100
200
300
400
500
600
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current I C (A)
T
C
=25°C
11V
10V
V
GE
=20V
8V
7V
12V
15V
9V
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
012345
0
100
200
300
400
500
600
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current I C (A)
T
C
=125°C
11V
10V
V
GE
=20V
8V
7V
12V
15V
9V
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 4 8 121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
T
C
=25°C
I
C
=150A 600A
300A
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
I
C
=150A 600A
T
C
=125°C
300A
Fig.1OutputCharacteristics（Typical）
Fig.3CollectortoEmitteronVoltagevs.GatetoEmitterVoltage（Typical）
Fig.2OutputCharacteristics（Typical）
Fig.5GateChargevs.CollectortoEmitterVoltage（Typical） Fig.6Capacitancevs.CollectortoEmitterVoltage（Typical）
Fig.4CollectortoEmitteronVoltagevs.GatetoEmitterVoltage（Typical）
■定格・特性曲線
項   目
Item
定 格 値
RatedValue
単位
Unit
順電流
Forward
Current
300 A
記号
Symbol
IFDC
1ms IFM 600
項   目
Characteristic
最小
Min.
標準
Typ.
単位
Unit
順電圧
PeakForwardVoltage ─2.2 V
0.2 μs
条   件
TestConditions
最大
Max.
IF＝300A,VGE＝0V 2.6
0.3
VF
trr
項   目
Characteristic 条   件
TestConditions 最小
Min. 最大
Max.
熱抵抗
ThermalImpedance Tc測定点チップ直下
JunctiontoCase
─ 0.069
─ 0.143
記号
Symbol 標準
Typ. 単位
Unit
Rth（j-c）
─℃/W
─
IGBT
Diode
記号
Symbol
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
IF＝300A,VGE＝−10V
di/dt＝600A/μs ─
Ｉ
Ｇ
Ｂ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
http://store.iiic.cc/
─ 403 ─
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 50 100 150 200 250 300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
Collector Current IC (A)
Switching Time t (µs)
tOFF
tf
tr(VCE)
tON
V
CC
=600V
R
G
=5.1
(
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
Fig.7CollectorCurrent
Fig.7vs.SwitchingTime（Typical）
Fig.10SeriesGateImpedancevs.SwitchingTime
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
01234
0
100
200
300
400
500
600
Forward Voltage V
F
(V)
Forward Current I
F
(A)
(Typical)
T
C
=25°C T
C
=125°C
Fig.13ForwardCharacteristicsofFree
Fig.13WheelingDiode（Typical）
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 110
1
3x10-4
1x10-3
3x10-3
1x10-2
3x10-2
1x10-1
3x10-1
1
Time t (s)
Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
TC=25°C
1 Shot Pulse
FRD
IGBT
Fig.16TransientThermalImpedance
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
31030
0.03
0.1
0.3
1
3
5
Series Gate Impedance RG (()
Switching Time t (µs)
V
CC
=600V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
tf
tr(V
CE
)
ton
toff
Fig.8SeriesGateImpedance
Fig.8vs.SwitchingTime（Typical）
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 100 200 300 400 500
0
20
40
60
80
100
120
Collector Current I
C
(A)
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
EOFF
EON
V
CC
=600V
R
G
=5.1(
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
E
RR
Fig.11CollectorCurrentvs.SwitchingLoss
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 600 1200 1800 2400
10
㪊㪇
㪈㪇㪇
㪊㪇㪇
㪈㪇㪇㪇
-di/dt (A/µs)
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
I
RrM
trr
I
F
=300A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Fig.14ReverseRecovery
Fig.14Characteristics（Typical）
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 50 100 150 200 250 300 350
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Collector Current I
C
(A)
Switching Time t (µs)
tOFF
tf
tr(Ic)
tON
V
CC
=600V
R
G
=5.1
(
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
Fig.9CollectorCurrentvs.SwitchingTime
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
31030
10
30
100
300
Series Gate Impedance R
G
(()
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
EOFF
EON
V
CC
=600V
I
C
=300A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
E
RR
Fig.12SeriesGateImpedance vs.SwitchingLoss
ᣣᧄࠗࡦ࠲࡯ᩣᑼળ␠
㧼㧴㧹㧮㧟㧜㧜㧮㧿㧝㧞
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
2000
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Collector Current I C (A)
R
G
=5.1(, V
GE
=±15V, T
C
=125°C
Fig.15ReverseBiasSafeOperatingArea
http://store.iiic.cc/